N-प्रकार TOPcon पेशींच्या मानकीकरणावर संशोधन
- अद्यतनित: 2023-05-14
- By
ooitech
- भेटी: 5283
- 0
अलिकडच्या वर्षांत, नवीन तंत्रज्ञान, नवीन प्रक्रिया आणि फोटोव्होल्टेइक पेशींच्या नवीन संरचनांच्या विकास आणि वापरासह, फोटोव्होल्टेइक सेल उद्योग वेगाने विकसित झाला आहे. नवीन ऊर्जा आणि स्मार्ट ग्रिड्सच्या विकासास समर्थन देणारे प्रमुख तंत्रज्ञान म्हणून, n-प्रकार सेल जागतिक औद्योगिक विकासात एक हॉट स्पॉट बनले आहेत.
कारण एन-टाइप टनेलिंग ऑक्साईड लेयर पॅसिव्हेशन कॉन्टॅक्ट फोटोव्होल्टेइक सेल (यापुढे "एन-टाइप TOPCon सेल" म्हणून संदर्भित) मध्ये पारंपारिक फोटोव्होल्टेइक सेलच्या तुलनेत कार्यक्षमतेत लक्षणीय सुधारणा करण्याचा फायदा आहे, किंमत नियंत्रणक्षम आणि परिपक्व उपकरणांच्या परिवर्तनासह, n-प्रकार TOPCon सेल देशांतर्गत उत्पादन क्षमतेचा पुढील विस्तार ही उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या फोटोव्होल्टेइक पेशींच्या विकासाची मुख्य दिशा बनली आहे.
एन-टाइप TOPCon बॅटरीजच्या मानकीकरणामध्ये सध्याची मानके समाविष्ट करण्यात अक्षमता आणि मानकांची लागूक्षमता सुधारण्याची गरज यासारख्या समस्यांचा सामना करावा लागतो. हा पेपर एन-टाइप TOPcon बॅटरीच्या मानकीकरणावर संशोधन आणि विश्लेषण करेल आणि मानकीकरणासाठी सूचना देईल.एन-टाइप TOPcon सेल तंत्रज्ञानाची विकास स्थितीपारंपारिक फोटोव्होल्टेइक पेशींमध्ये वापरल्या जाणार्‍या p-प्रकारच्या सिलिकॉन बेस मटेरियलची रचना n+pp+ आहे, प्रकाश प्राप्त करणारी पृष्ठभाग n+ पृष्ठभाग आहे आणि फॉस्फरस प्रसार उत्सर्जक तयार करण्यासाठी वापरला जातो.एन-टाइप सिलिकॉन बेस मटेरियलसाठी होमोजंक्शन फोटोव्होल्टेइक सेल स्ट्रक्चर्सचे दोन मुख्य प्रकार आहेत, एक n+np+ आणि दुसरा p+nn+ आहे.p-प्रकार सिलिकॉनच्या तुलनेत, n-प्रकार सिलिकॉनमध्ये अल्पसंख्याक वाहक जीवनकाळ, कमी क्षीणता आणि अधिक कार्यक्षमता क्षमता आहे.n-प्रकार सिलिकॉनपासून बनवलेल्या n-प्रकारच्या दुहेरी बाजूंच्या सेलमध्ये उच्च कार्यक्षमता, चांगला कमी प्रकाश प्रतिसाद, कमी तापमान गुणांक आणि अधिक दुहेरी-पक्षीय ऊर्जा निर्मितीचे फायदे आहेत.फोटोव्होल्टेइक पेशींच्या फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण कार्यक्षमतेसाठी उद्योगाच्या गरजा वाढत असल्याने, TOPCon, HJT आणि IBC सारख्या n-प्रकारच्या उच्च-कार्यक्षमतेच्या फोटोव्होल्टेइक पेशी हळूहळू भविष्यातील बाजारपेठ व्यापतील.2021 इंटरनॅशनल फोटोव्होल्टेइक रोडमॅप (ITRPV) ग्लोबल फोटोव्होल्टेइक इंडस्ट्री टेक्नॉलॉजी आणि मार्केट अंदाजानुसार, n-प्रकार सेल देश-विदेशातील फोटोव्होल्टेइक सेलच्या भविष्यातील तंत्रज्ञान आणि बाजार विकासाची दिशा दर्शवतात.तीन प्रकारच्या n-प्रकारच्या बॅटरीजच्या तांत्रिक मार्गांपैकी, n-प्रकारच्या TOPCon बॅटरी हे सध्याच्या उपकरणांचा उच्च वापर दर आणि उच्च रूपांतरण कार्यक्षमतेच्या फायद्यांमुळे सर्वात मोठ्या औद्योगिकीकरणाचे तंत्रज्ञान मार्ग बनले आहेत.
सध्या, उद्योगातील n-प्रकारच्या TOPCon बॅटरी सामान्यत: LPCVD (कमी-दाब वाष्प-फेज केमिकल डिपॉझिशन) तंत्रज्ञानावर आधारित तयार केल्या जातात, ज्यामध्ये अनेक प्रक्रिया आहेत, कार्यक्षमता आणि उत्पन्न प्रतिबंधित आहे आणि उपकरणे आयातीवर अवलंबून आहेत. त्यात सुधारणा करणे आवश्यक आहे. एन-टाइप TOPCon पेशींच्या मोठ्या प्रमाणावर उत्पादनाला उच्च उत्पादन खर्च, किचकट प्रक्रिया, कमी उत्पन्न दर आणि अपुरी रूपांतरण कार्यक्षमता यासारख्या तांत्रिक अडचणींचा सामना करावा लागतो.उद्योगाने एन-टाइप TOPcon सेलचे तंत्रज्ञान सुधारण्यासाठी अनेक प्रयत्न केले आहेत. त्यापैकी, इन-सिटू डोपड पॉलिसिलिकॉन लेयर तंत्रज्ञान टनलिंग ऑक्साईड लेयर आणि डोपड पॉलिसिलिकॉन (n+-पॉलीसी) लेयरच्या सिंगल-प्रोसेस डिपॉझिशनमध्ये रॅपिंग प्लेटिंगशिवाय लागू केले जाते;एन-टाइप TOPCon बॅटरीचे मेटल इलेक्ट्रोड अॅल्युमिनियम पेस्ट आणि सिल्व्हर पेस्ट मिसळण्याच्या नवीन तंत्रज्ञानाचा वापर करून तयार केले जाते, ज्यामुळे खर्च कमी होतो आणि संपर्क प्रतिरोधकता सुधारते; फ्रंट सिलेक्‍टिव्ह एमिटर स्ट्रक्चर आणि बॅक मल्टी-लेयर टनेलिंग पॅसिव्हेशन कॉन्टॅक्ट स्ट्रक्चर तंत्रज्ञान स्वीकारते.या तांत्रिक सुधारणा आणि प्रक्रिया ऑप्टिमायझेशनने n-प्रकार TOPcon पेशींच्या औद्योगिकीकरणात काही योगदान दिले आहे.एन-टाइप TOPcon बॅटरीच्या मानकीकरणावर संशोधनएन-टाइप TOPCon पेशी आणि पारंपारिक पी-टाइप फोटोव्होल्टेइक पेशींमध्ये काही तांत्रिक फरक आहेत आणि बाजारातील फोटोव्होल्टेइक पेशींचा निर्णय सध्याच्या पारंपरिक बॅटरी मानकांवर आधारित आहे आणि एन-टाइप फोटोव्होल्टेइक पेशींसाठी कोणतीही स्पष्ट मानक आवश्यकता नाही. .एन-टाइप TOPCon सेलमध्ये कमी क्षीणता, कमी तापमान गुणांक, उच्च कार्यक्षमता, उच्च द्विफेशियल गुणांक, उच्च उघडण्याचे व्होल्टेज इत्यादी वैशिष्ट्ये आहेत. मानकांच्या दृष्टीने ते पारंपारिक फोटोव्होल्टेइक पेशींपेक्षा वेगळे आहे.
हा विभाग n-प्रकार TOPcon बॅटरीच्या मानक निर्देशकांच्या निर्धारापासून सुरू होईल, वक्रता, इलेक्ट्रोड तन्य शक्ती, विश्वासार्हता, आणि प्रारंभिक प्रकाश-प्रेरित क्षीणन कार्यप्रदर्शन भोवती संबंधित पडताळणी करा आणि सत्यापन परिणामांवर चर्चा करा.मानक निर्देशकांचे निर्धारणपारंपारिक फोटोव्होल्टेइक पेशी उत्पादन मानक GB/T29195-2012 "ग्राउंड-युज्ड क्रिस्टलाइन सिलिकॉन सोलर सेलसाठी सामान्य तपशील" वर आधारित असतात, ज्यांना स्पष्टपणे फोटोव्होल्टेइक पेशींचे वैशिष्ट्यपूर्ण पॅरामीटर्स आवश्यक असतात.GB/T29195-2012 च्या आवश्यकतांवर आधारित, n-प्रकार TOPcon बॅटरीच्या तांत्रिक वैशिष्ट्यांसह, विश्लेषण आयटमनुसार केले गेले.तक्ता 1 पहा, n-प्रकार TOPCon बॅटरी मुळात आकार आणि स्वरूपाच्या बाबतीत पारंपारिक बॅटरींसारख्याच असतात;
तक्ता 1 n-प्रकार TOPcon बॅटरी आणि GB/T29195-2012 आवश्यकतांमधील तुलना
इलेक्ट्रिकल परफॉर्मन्स पॅरामीटर्स आणि तापमान गुणांकाच्या बाबतीत, IEC60904-1 आणि IEC61853-2 नुसार चाचण्या केल्या जातात आणि चाचणी पद्धती पारंपारिक बॅटरीशी सुसंगत असतात; यांत्रिक गुणधर्मांची आवश्यकता वाकण्याची डिग्री आणि इलेक्ट्रोड तन्य शक्तीच्या बाबतीत पारंपारिक बॅटरीपेक्षा भिन्न आहेत.याव्यतिरिक्त, उत्पादनाच्या वास्तविक अनुप्रयोग वातावरणानुसार, एक ओलसर उष्णता चाचणी विश्वसनीयता आवश्यकता म्हणून जोडली जाते.वरील विश्लेषणाच्या आधारे, एन-टाइप TOPCon बॅटरीचे यांत्रिक गुणधर्म आणि विश्वासार्हता सत्यापित करण्यासाठी प्रयोग केले गेले.समान तांत्रिक मार्ग असलेल्या वेगवेगळ्या उत्पादकांकडून फोटोव्होल्टेइक सेल उत्पादने प्रायोगिक नमुने म्हणून निवडली गेली. Taizhou Jolywood Optoelectronics Technology Co., Ltd ने नमुने प्रदान केले होते.हा प्रयोग तृतीय-पक्ष प्रयोगशाळा आणि एंटरप्राइझ प्रयोगशाळांमध्ये केला गेला आणि बेंडिंग डिग्री आणि इलेक्ट्रोड तन्य शक्ती, थर्मल सायकल चाचणी आणि ओलसर उष्णता चाचणी आणि प्रारंभिक प्रकाश-प्रेरित क्षीणन कार्यप्रदर्शन यासारख्या पॅरामीटर्सची चाचणी आणि पडताळणी करण्यात आली.फोटोव्होल्टेइक पेशींच्या यांत्रिक गुणधर्मांची पडताळणीएन-टाइप टीओपीकॉन बॅटरीच्या यांत्रिक गुणधर्मांमधील वाकण्याची डिग्री आणि इलेक्ट्रोड तन्य शक्तीची थेट बॅटरी शीटवरच चाचणी केली जाते आणि चाचणी पद्धतीची पडताळणी खालीलप्रमाणे आहे.वक्रता चाचणी केलेल्या नमुन्याच्या मध्यवर्ती पृष्ठभागाच्या मध्य बिंदू आणि मध्य पृष्ठभागाच्या संदर्भ समतल मधील विचलनाचा संदर्भ देते. फोटोव्होल्टेइक सेलच्या वाकलेल्या विकृतीची चाचणी करून तणावाखाली बॅटरीच्या सपाटपणाचे मूल्यांकन करणे हे एक महत्त्वाचे सूचक आहे.त्याची प्राथमिक चाचणी पद्धत कमी दाब विस्थापन निर्देशक वापरून वेफरच्या केंद्रापासून संदर्भ विमानापर्यंतचे अंतर मोजणे आहे.जॉलीवुड ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि शिआन स्टेट पॉवर इन्व्हेस्टमेंटने प्रत्येकी 20 एम 10 आकाराच्या एन-टाईप TOPCon बॅटरी प्रदान केल्या आहेत. पृष्ठभागाची सपाटता 0.01mm पेक्षा चांगली होती, आणि बॅटरी वक्रता 0.01mm पेक्षा चांगले रिझोल्यूशन असलेल्या मोजमाप साधनाने तपासली गेली.GB/T4.2.1-29195 मधील 2012 च्या तरतुदींनुसार बॅटरी बेंडिंग चाचणी केली जाते.चाचणी परिणाम तक्ता 2 मध्ये दर्शविले आहेत.
तक्ता 2 n-प्रकार TOPCon पेशींचे झुकता चाचणी परिणाम
जॉलीवूड आणि शिआन स्टेट पॉवर इन्व्हेस्टमेंट या दोन्हीच्या एंटरप्राइझ अंतर्गत नियंत्रण मानकांसाठी बेंडिंग डिग्री 0.1 मिमी पेक्षा जास्त नसणे आवश्यक आहे. सॅम्पलिंग चाचणी निकालांच्या विश्लेषणानुसार, जॉलीवुड ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि शिआन स्टेट पॉवर इन्व्हेस्टमेंटची सरासरी झुकण्याची डिग्री अनुक्रमे 0.056 मिमी आणि 0.053 मिमी आहे. कमाल मूल्ये अनुक्रमे 0.08 मिमी आणि 0.10 मिमी आहेत.चाचणी पडताळणीच्या निकालांनुसार, n-प्रकार TOPcon बॅटरीची वक्रता 0.1mm पेक्षा जास्त नसण्याची आवश्यकता प्रस्तावित आहे.इलेक्ट्रोड तन्य शक्ती चाचणी सत्यापनविद्युत प्रवाह चालविण्यासाठी वेल्डिंगद्वारे मेटल रिबन फोटोव्होल्टेइक सेलच्या ग्रिड वायरशी जोडलेले आहे. सोल्डर रिबन आणि इलेक्ट्रोड स्थिरपणे जोडलेले असले पाहिजेत जेणेकरून संपर्क प्रतिकार कमी होईल आणि वर्तमान वहन कार्यक्षमता सुनिश्चित होईल.या कारणास्तव, बॅटरीच्या ग्रिड वायरवरील इलेक्ट्रोड तन्य शक्ती चाचणी बॅटरीच्या इलेक्ट्रोड वेल्डेबिलिटी आणि वेल्डिंग गुणवत्तेचे मूल्यांकन करू शकते, जी फोटोव्होल्टेइक बॅटरी मोटरच्या आसंजन शक्तीसाठी एक सामान्य चाचणी पद्धत आहे.<विभाग शैली="मार्जिन: 0px 0px 16px; पॅडिंग: 0px; बाह्यरेखा
